OCXO (恒温晶体振荡器) ——M系列(50×50×H mm)
特点:高稳定度,低老化,开机快。
应用:军用电台,数字开关,无线基站,电信时钟源,精密仪表。
功能:
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指标名称 |
指标参数 |
测试条件 |
|
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SC切 |
AT切 |
||
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标称频率 |
10
MHz |
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供电电压 |
3.3V 5V 9V 12V 18V |
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稳态功率 |
1.2W |
@﹢25℃ |
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|
开机功率 |
5
W |
3
W |
@﹢25℃ |
|
开机时间 |
5min |
@﹢25℃ |
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|
负载效应 |
≤±3×10-9 |
负载变化±5% |
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|
电压效应 |
≤±3×10-9 |
供电电压变化±5% |
|
|
相位噪声 |
≤-120/-135dBc/Hz |
≤-110/-135dBc/Hz |
@10Hz/100Hz |
|
≤-150/-155dBc/Hz |
≤-145/-150dBc/Hz |
@1KHz/10KHz |
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|
电调范围 |
≥±3×10-7 |
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压控电压范围 |
0
~ 5V |
正斜率 |
|
|
波形 |
HCMOS/TTL/Sine |
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|
|
幅度 |
8±2dBm |
相对于正弦波 |
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|
杂散 |
≤-75dBc |
相对于正弦波 |
|
|
谐波 |
≤-35dBc |
相对于正弦波 |
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|
上升/下降沿时间 |
5ns 10~90%Vout 90~10%Vout |
相对于方波 |
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占空比 |
45%
~ 55% |
相对于方波 |
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|
温度稳定度 |
≤±3×10-9 |
≤±5×10-8 |
-40℃ ~ ﹢70℃ @+25℃ |
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日老化率 |
≤±5×10-10 |
≤±3×10-9 |
30天以后 |
|
年老化 |
≤±3×10-8 |
≤±1×10-7 |
30天以后 |
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贮存温度 |
-55℃ ~﹢105℃ |
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外形尺寸:

注:另可按客户具体要求定制,频率范围可达5 ~ 160MHz。
OCXO (恒温晶体振荡器) ——K系列(36.1×27.2×H mm)
特点:高稳定度,低老化,开机快。
应用:军用电台,数字开关,无线基站/移频直放站,电信时钟源,精密仪表。
功能:
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指标名称 |
指标参数 |
测试条件 |
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SC切 |
AT切 |
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标称频率 |
10
MHz |
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供电电压 |
3.3V 5V 9V 12V |
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稳态功率 |
1.2W |
@﹢25℃ |
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开机功率 |
5
W |
3
W |
@﹢25℃ |
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开机时间 |
3min |
@﹢25℃ |
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负载效应 |
≤±3×10-9 |
负载变化±5% |
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电压效应 |
≤±3×10-9 |
供电电压变化±5% |
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相位噪声 |
≤-120/-135dBc/Hz |
≤-105/-135dBc/Hz |
@10Hz/100Hz |
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≤-150/-155dBc/Hz |
≤-145/-150dBc/Hz |
@1KHz/10KHz |
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电调范围 |
≥±5×10-7 |
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压控电压范围 |
0
~ 5V |
正斜率 |
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波形 |
HCMOS/TTL/Sine |
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幅度 |
8±2dBm |
相对于正弦波 |
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杂散 |
≤-75dBc |
相对于正弦波 |
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谐波 |
≤-35dBc |
相对于正弦波 |
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上升/下降沿时间 |
5ns 10~90%Vout 90~10%Vout |
相对于方波 |
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占空比 |
45%
~ 55% |
相对于方波 |
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温度稳定度 |
≤±5×10-9 |
≤±5×10-8 |
-40℃ ~ ﹢70℃ @+25℃ |
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日老化率 |
≤±5×10-10 |
≤±3×10-9 |
30天以后 |
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年老化 |
≤±3×10-8 |
≤±1×10-7 |
30天以后 |
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贮存温度 |
-55℃ ~﹢105℃ |
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外形尺寸:

注:另可按客户具体要求定制,频率范围可达5 ~ 160MHz。
OCXO (恒温晶体振荡器) ——J系列(30×30×H mm)
特点: 高稳定度,低老化,开机快。